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NP33N06YDG Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

NP33N06YDG Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP33N06YDG Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP33N06YDG Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


NP33N06YDG Produktdetails

Description
The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features
• Low on-state resistance
   ⎯ RDS(on) = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A)
• Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
• Logic level drive type
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
• Small size package 8-pin HSON




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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