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NX8517XC Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
NX8517XC Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung 1 470 TO 1 610 nm FOR CWDM 2.5 Gb/s InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE TOSA

NX8517XC Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 1 470 TO 1 610 nm FOR CWDM 2.5 Gb/s InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE TOSA

NX8517XC Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


NX8517XC Produktdetails

DESCRIPTION
The NX8517XC is a 1 470 to 1 610 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode TOSA (transmitter optical sub-assembly) with InGaAs monitor PIN-PD in a receptacle type package designed for SFF/SFP transceiver with LC duplex receptacle. This device is ideal for 2.5 Gb/s CWDM application.

FEATURES
• Internal optical isolator
• Optical output power Pf = 2.0 mW
• Peak emission wavelength λp = 1 470 to 1 610 nm (Based on CWDM)
• Low threshold current lth = 10 mA TYP. @ TC = 25°C
• Operating case temperature range TC = −20 to +85°C
• Side mode suppression ratio SMSR = 40 dB
• InGaAs monitor PIN-PD




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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