2SC3355-T Datenblatt(PDF) - Renesas Technology Corp

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2SC3355-T Produktdetails

DESCRIPTION
The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic.

FEATURES
• Low noise and high gain
NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz
NF = 1.8 dB TYP., Ga= 9.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 40 mA, f = 1 GHz
• High power gain : MAG = 11 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 1 GHz

Ähnliche Teilenummer - 2SC3355-T

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Renesas Technology Corp	2SC3355-T	293Kb / 10P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
Unisonic Technologies	2SC3355-T92-B	82Kb / 2P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
	2SC3355-T92-K	82Kb / 2P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
	2SC3355-T92-R	82Kb / 2P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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Renesas Technology Corp	2SC5013	190Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
Renesas Technology Corp	2SC5432	314Kb / 12P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION February 2002

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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