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MMA25312B Datenblatt (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc
MMA25312B Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc
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Bauteilbeschribung Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

MMA25312B Datasheet (PDF)

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MMA25312B Datenblatt (HTML) - Freescale Semiconductor, Inc


MMA25312B Produktdetails

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA25312B is a high efficiency InGaP HBT amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications with frequencies from 2300 to 2700 MHz using simple external matching components with a 3 to 5 volt supply.

Features
• Frequency: 2300-2700 MHz
• P1dB: 31 dBm @ 2500 MHz
• Power Gain: 26 dB @ 2500 MHz
• OIP3: 40 dBm @ 2500 MHz
• Active Bias Control (On-chip)
• Single 3 to 5 Volt Supply
• Single-ended Power Detector
• Cost-effective QFN Surface Mount Package
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7 inch Reel.




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Über Freescale Semiconductor, Inc

Freescale Semiconductor war eine amerikanische Halbleiterfirma, die 1948 gegründet wurde.
Das Unternehmen war ein führender Anbieter von Mikrocontrollern, Sensoren und anderen Halbleiterprodukten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.
Die Produkte von Freescale waren für ihre hohe Leistung, ihren geringen Stromverbrauch und ihren kleinen Formfaktor bekannt.
Das Unternehmen wurde 2015 von den NXP -Semikoneitern übernommen, und seine Produkte und Technologien werden weiterhin unter der Marke NXP entwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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