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FMMT618TA Datenblatt (PDF) - Diodes Incorporated
FMMT618TA Datasheet PDF - Diodes Incorporated
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Hersteller  DIODES [Diodes Incorporated]
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Bauteilbeschribung 20V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

FMMT618TA Datasheet (PDF)

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Hersteller  DIODES [Diodes Incorporated]
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Bauteilbeschribung 20V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

FMMT618TA Datenblatt (HTML) - Diodes Incorporated


FMMT618TA Produktdetails

Features
• BVCEO > 20V
• IC = 2.5A Continuous Collector Current
• RCE(SAT) = 50mΩ for a low equivalent On-Resistance
• 625mW Power dissipation
• hFE characterised up to 6A for high current gain hold up
• Complementary NPN type: FMMT718
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP capable (Note 4)

Applications
• DC-DC Modules
• Gate driver
• LED driver




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Über Diodes Incorporated

DioDes Incorporated ist ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von diskreten, analogen und gemischten Signal-Halbleitern und vollständigen Leistungslösungen entwirft, produziert und liefert.
Das Unternehmen wurde 1964 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Plano, Texas.
Es arbeitet weltweit mit Vertriebs-, Support- und Designzentren in Nordamerika, Europa und Asien.
DioDes Incorporated dient einer Vielzahl von Branchen, darunter Automobil, Kommunikation, Computer, Verbraucher und Industrie.
Das Unternehmen bietet unter anderem eine breite Palette von Produkten, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren, Spannungsregulatoren, MOSFETs, LED -Treiber und Schutzgeräte.
Die Mission des Unternehmens ist es, den Kunden qualitativ hochwertige, qualitativ zuverlässige Produkte und hervorragende Kundenservice zu bieten.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit ist DioDes Incorporated verpflichtet, ein führender Anbieter von Power Management -Lösungen zu werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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