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IXSH45N120B Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXSH45N120B Datasheet PDF - IXYS Corporation
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IXSH45N120B Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung High Voltage IGBT S Series - Improved SCSOA Capability

IXSH45N120B Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXSH45N120B Produktdetails

High Voltage IGBT

"S" Series - Improved SCSOA Capability

Features
• Epitaxial Silicon drift region
   - fast switching
   - small tail current
• MOS gate turn-on for drive simplicity

Applications
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• Welding




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Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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