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STB11N52K3 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STB11N52K3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET

STB11N52K3 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET

STB11N52K3 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STB11N52K3 Produktdetails

Description
These devices are N-channel Power MOSFETs made using the SuperMESH3™ technology that is obtained via improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology combined with a new optimized vertical structure. The resulting transistor has an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, making it especially suitable for the most demanding applications.

Features
■ 100% avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitance
■ Improved diode reverse recovery characteristics
■ Zener-protected

Applications
■ Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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