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IXGR32N170AH1 Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXGR32N170AH1 Datasheet PDF - IXYS Corporation
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IXGR32N170AH1 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung High Voltage IGBT with Diode

IXGR32N170AH1 Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXGR32N170AH1 Produktdetails

High Voltage IGBT with Diode
Electrically Isolated Tab

Features
• Electrically Isolated tab
• High current handling capability
• MOS Gate turn-on
    - drive simplicity
• Rugged NPT structure
• Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications
• Capacitor discharge & pulser circuits
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• DC choppers
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode power supplies




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Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

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