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RJQ6008DPM Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
RJQ6008DPM Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Bauteilbeschribung 600V - 10A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

RJQ6008DPM Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 600V - 10A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

RJQ6008DPM Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


RJQ6008DPM Produktdetails

Features
• Low collector to emitter saturation voltage
   VCE(sat) = 2.65 V typ. (IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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