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2SC5509-T2 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
2SC5509-T2 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE

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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Bauteilbeschribung NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE

2SC5509-T2 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC5509-T2 Produktdetails

NPN SILICON RF TRANSISTOR

FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)



FEATURES

•  Ideal for medium output power amplification

•  NF = 1.2 dB TYP., Ga= 12 dB TYP. @ VCE= 2 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz

•  Maximum available power gain: MAG = 14 dB TYP. @ VCE= 2 V, IC= 50 mA, f = 2 GHz

•  fT= 25 GHz technology adopted

•  Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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