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AML1005H5N6STS Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
AML1005H5N6STS Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Bauteilbeschribung NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

AML1005H5N6STS Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

AML1005H5N6STS Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


AML1005H5N6STS Produktdetails

FEATURES
• The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
   NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz
• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG3032M14.
• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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