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NESG210719-T1 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

NESG210719-T1 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NESG210719-T1 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NESG210719-T1 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


NESG210719-T1 Produktdetails

FEATURES
• The NESG210719 is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr.
• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG)




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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