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PMXB120EPE Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors
PMXB120EPE Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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Bauteilbeschribung 30 V, P-channel Trench MOSFET

PMXB120EPE Datasheet (PDF)

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PMXB120EPE Produktdetails

General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.



Features and benefits

• Trench MOSFET technology

• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm

• Exposed drain pad for excellent thermal conduction

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV HBM



Applications

• High-side load switch and charging switch for portable devices

• Power management in battery driven portables

• LED driver

• DC-to-DC converter

• Drain-source on-state resistance RDSon = 100 mΩ




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Über NXP Semiconductors

NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.

Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.

NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.

Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.

NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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