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2SC4095 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
2SC4095 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Bauteilbeschribung MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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Bauteilbeschribung MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

2SC4095 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC4095 Produktdetails

DESCRIPTION

The 2SC4095 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. 2SC4095 features excellent power gain with very low-noise figures. 2SC4095 employs direct nitiride passivated base surface process (DNP process) which is an NEC proprietary new fabrication technique which provides excellent noise figures at high current values. This allows excellent associated gain and very wide dynamic range.



FEATURES

• NF = 1.8 dB TYP. @ f = 2.0 GHz, VCE = 6 V, IC = 5 mA

• |S21e|2 = 9.5 dB TYP. @ f = 2.0 GHz, VCE = 6 V, IC = 10 mA



 




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August 1996
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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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