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STP310N10F7 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STP310N10F7 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 100 V, 2.3 mΩ typ., 180 A STripFET™VII DeepGATE™ Power MOSFET in a TO-220 package

STP310N10F7 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 100 V, 2.3 mΩ typ., 180 A STripFET™VII DeepGATE™ Power MOSFET in a TO-220 package

STP310N10F7 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STP310N10F7 Produktdetails

Description
This device utilizes the 7th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all

Features
■ Ultra low on-resistance
■ 100% avalanche tested

Applications
■ Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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