MTP50P03HDL Datenblatt(PDF) - Motorola, Inc

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MTP50P03HDL Datenblatt (PDF) - Motorola, Inc

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TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 50 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.025 OHM

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MTP50P03HDL Produktdetails

HDTMOS E-FET Power Field Effect Transistor
P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This advanced high–cell density HDTMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Ähnliche Teilenummer - MTP50P03HDL

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	MTP50P03HDL	91Kb / 8P	Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-220 July, 2006 ??Rev. 6
Inchange Semiconductor ...	MTP50P03HDL	294Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
ON Semiconductor	MTP50P03HDLG	91Kb / 8P	Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-220 July, 2006 ??Rev. 6

Ähnliche Beschreibung - MTP50P03HDL

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	MTB50P03HDL	182Kb / 12P	TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 50 AMPERES 30 VOLTS
	MTD20N03HDL	250Kb / 12P	TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 20 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.035 OHM
	MTD20N06HDL	293Kb / 12P	TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.045 OHM
	MTD20P03HDL	244Kb / 12P	TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM
	MTE30N50E	229Kb / 8P	TMOS POWER FET 30 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.150 OHM
	MTP1306	171Kb / 8P	TMOS POWER FET 75 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.0065 OHM
	MTP30N06VL	207Kb / 8P	TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.050 OHM
	MTP30P06V	191Kb / 8P	TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM
	MTP50N06EL	232Kb / 8P	TMOS POWER FET 50 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM
	MTP52N06VL	166Kb / 8P	TMOS POWER FET 52 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.025 OHM

Über Motorola, Inc

Motorola, Inc. war ein amerikanisches multinationales Telekommunikationsunternehmen, das 1928 gegründet wurde. Sie hatte seinen Hauptsitz in Schaumburg, Illinois, und war einer der größten Anbieter von Mobiltelefonen, Telekommunikationsgeräten und Halbleitern. Während seiner gesamten Geschichte war Motorola für seine Innovation auf dem Gebiet der Telekommunikation bekannt, einschließlich der Entwicklung des weltweit ersten kommerziell erhältlichen Mobiltelefons, dem Dynatac, und des ersten Zwei-Wege-Pagers der Welt, dem Pageboy.

Im Jahr 2011 hat sich Motorola in zwei getrennte Unternehmen aufgeteilt: Motorola Mobility und Motorola Solutions. Motorola Mobility wurde später 2012 von Google übernommen und ist jetzt eine Tochtergesellschaft von Lenovo. Motorola Solutions konzentriert sich auf Lösungen für die öffentliche Sicherheit sowie auf gewerbliche und industrielle Kommunikation. Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter Zweiwege-Funkgeräte, mobile Computergeräte und Netzwerkinfrastrukturgeräte.

Motorola war einer der Pioniere der Mobilfunkbranche und hat eine reiche Geschichte der Innovation und technologischen Fortschritte. Das Vermächtnis des Unternehmens setzt seine Tochtergesellschaften fort und seine Technologie und Produkte werden weltweit weiterhin verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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