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LB11948T-TLM-E Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor
LB11948T-TLM-E Datasheet PDF - ON Semiconductor
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Hersteller  ONSEMI [ON Semiconductor]
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Bauteilbeschribung PWM Constant Current Control 1-2 Phase Excitation Stepping Motor Driver

LB11948T-TLM-E Datasheet (PDF)

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Hersteller  ONSEMI [ON Semiconductor]
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Bauteilbeschribung PWM Constant Current Control 1-2 Phase Excitation Stepping Motor Driver

LB11948T-TLM-E Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor


LB11948T-TLM-E Produktdetails

Overview
The LB11948T is a low saturation voltage output PWM current control bipolar drive stepping motor driver. It is optimal for use as the driver for the miniature low-voltage stepping motors used in portable electronic equipment such as portable thermal printers

Features
• PWM current control (external excitation)
• Simultaneous on state prevention function (through current prevention)
• Thermal shutdown circuit
• Noise canceller function
• Low-power mode control pin




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Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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