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CMSH3-100M Datenblatt (PDF) - Central Semiconductor Corp
CMSH3-100M Datasheet PDF - Central Semiconductor Corp
Teilenummer CMSH3-100M
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Hersteller  CENTRAL [Central Semiconductor Corp]
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Bauteilbeschribung HIGH DENSITY SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 3.0 AMP, 20 THRU 100 VOLTS

CMSH3-100M Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung HIGH DENSITY SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 3.0 AMP, 20 THRU 100 VOLTS

CMSH3-100M Datenblatt (HTML) - Central Semiconductor Corp


CMSH3-100M Produktdetails

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 3.0 Amp Surface Mount Silicon Schottky Rectifier is a high quality, well constructed, highly reliable component designed for use in all types of commercial, industrial, entertainment, computer, and automotive applications. To order devices on 12mm Tape and Reel (3000/13" Reel), add TR13 suffix to part number.



FEATURES:

• HIGH CURRENT CAPABILITY

• FLAMMABILITY CLASSIFICATION UL94V-0

• HIGH DENSITY, SUPER MINI DEVICE

• SUPERIOR LOT TO LOT CONSISTENCY

• LOW COST

• “C” BEND CONSTRUCTION PROVIDES STRAIN RELIEF WHEN MOUNTED ON PC BOARD

• HIGH RELIABILITY




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Über Central Semiconductor Corp

Central Semiconductor Corp ist ein führender Anbieter diskreter Halbleiter und passiver Komponenten.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Hauppauge, New York, USA.
Central Semiconductor bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren und andere diskrete Halbleiter.
Das Unternehmen ist auch ein Anbieter von passiven Komponenten wie Kondensatoren und Induktoren.
Central Semiconductor ist bekannt für seine hochwertigen Produkte, Wettbewerbspreise und hervorragenden Kundenservice.
Das Unternehmen verfügt über Operationen und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt und arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Halbleiterlösungen bereitzustellen, die ihren spezifischen Anforderungen und Bedürfnissen entsprechen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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