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2SD669A Datenblatt (PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SD669A Datasheet PDF - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
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Bauteilbeschribung NPN Type Plastic Encapsulate Transistors

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Bauteilbeschribung NPN Type Plastic Encapsulate Transistors

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2SD669A Produktdetails

FEATURES
    Power dissipation PCM : 1mW（Tamb=25℃）
    Collector current ICM : 1.5 A
    Collector-base voltage V(BR)CBO : 180 V
    Collector-emitter voltage VCEO 2SD669 : 120 V 2SD669A : 160 V
    Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃




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