GP1200ESM33 Datenblatt(PDF)

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GP1200ESM33 Produktdetails

The Powerline range of high power modules includes dual and single switch configurations covering voltages from 1200V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP1200ESM33 is a single switch 3300V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications. This device is optimised for traction drives and other applications requiring high thermal cycling capability or very high reliability.

FEATURES
■ High Thermal Cycling Capability
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated MMC Base with AlN Substrates

APPLICATIONS
■ High Reliability Inverters
■ Motor Controllers
■ Traction Drives
■ Resonant Converters

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Über Dynex Semiconductor

Dynex Semiconductor war ein britisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Hochleistungs-Halbleitern spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Lincoln, England.
DYNEx war bekannt für sein Fachwissen in der Hochleistungs-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, maßgeschneiderte Stromversorgungsgeräte für verschiedene Anwendungen wie Stromumwandlung, motorische Kontrolle und erneuerbare Energiesysteme bereitzustellen.
Im Jahr 2015 wurde DYNEx von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Macht- und Sensorsystemen, übernommen.
Die Marke von Dynex ist nicht mehr verwendet, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

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