GP200MHS12 Datenblatt(PDF)

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GP200MHS12 Datenblatt (PDF) - Dynex Semiconductor

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GP200MHS12 Produktdetails

The Powerline range of high power modules includes half bridge and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP200MHS12 is a half bridge 1200V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications.

FEATURES
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated Copper Baseplate
■ Low Inductance Internal Construction

APPLICATIONS
■ High Power Inverters
■ Motor Controllers
■ Induction Heating
■ Resonant Converters

Über Dynex Semiconductor

Dynex Semiconductor war ein britisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Hochleistungs-Halbleitern spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Lincoln, England.
DYNEx war bekannt für sein Fachwissen in der Hochleistungs-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, maßgeschneiderte Stromversorgungsgeräte für verschiedene Anwendungen wie Stromumwandlung, motorische Kontrolle und erneuerbare Energiesysteme bereitzustellen.
Im Jahr 2015 wurde DYNEx von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Macht- und Sensorsystemen, übernommen.
Die Marke von Dynex ist nicht mehr verwendet, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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