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HAF1002S Datenblatt (PDF) - Hitachi Semiconductor

HAF1002S Datasheet PDF - Hitachi Semiconductor
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Bauteilbeschribung Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching

HAF1002S Datasheet (PDF)

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Hersteller  HITACHI [Hitachi Semiconductor]
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HAF1002S Datenblatt (HTML) - Hitachi Semiconductor


HAF1002S Produktdetails

Features
This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

• Logic level operation (–4 to –6 V Gate drive)
• High endurance capability against to the short circuit
• Built–in the over temperature shut–down circuit
• Latch type shut–down operation (Need 0 voltage recovery)




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Über Hitachi Semiconductor


Hitachi Semiconductor ist eine Tochtergesellschaft von Hitachi, Ltd., einem japanischen Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern spezialisiert hat.
Das Unternehmen wurde 1970 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Tokio, Japan.
Hitachi Semiconductor bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Speicherprodukte, Mikrocontroller, ICS -Management -ICs und andere analoge und digitale Halbleiter.
Die Produkte des Unternehmens werden in verschiedenen Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Automobilsystemen und Industriegeräten verwendet.
Hitachi Semiconductor ist bekannt für sein Fachwissen in der Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Das Unternehmen verfügt über Operationen und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt und arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Halbleiterlösungen bereitzustellen, die ihren spezifischen Anforderungen und Bedürfnissen entsprechen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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