2N6977 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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2N6977 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

2N6977 Datasheet PDF - Intersil Corporation


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5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs

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Bauteilbeschribung	5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs

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2N6977 Produktdetails

Description

The 2N6975, 2N6976, 2N6977 and the 2N6978 are n-channel enhancement-mode insulated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high-voltage, low on-dissipation applications such as switching regulators and motor drivers. These types can be operated directly from low-power integrated circuits.

Features

• 5A, 400V and 500V

• VCE(ON) 2V

• TFI 1µs, 0.5µs

• Low On-State Voltage

• Fast Switching Speeds

• High Input Impedance

Ähnliche Teilenummer - 2N6977

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Microsemi Corporation	2N697	63Kb / 3P	NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Seme LAB	2N697	16Kb / 1P	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39
New Jersey Semi-Conduct...	2N697	123Kb / 1P	SILICON
Continental Device Indi...	2N697	200Kb / 3P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
American Microsemicondu...	2N697	439Kb / 1P	Amplifiers & Switches

Ähnliche Beschreibung - 2N6977

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	HGTD10N40F1	33Kb / 4P	10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs March 1997
	HGTD6N40E1	32Kb / 4P	6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs March 1997
	HGTH20N40C1D	35Kb / 6P	20A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes April 1995
	HGTP10N40C1	38Kb / 7P	10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs April 1995
	HGTP10N40C1D	37Kb / 6P	10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes April 1995
	HGTP10N40F1D	34Kb / 5P	10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes April 1995
	HGTP15N40C1	35Kb / 5P	15A, 20A, 400V and 500V N-Channel IGBTs April 1995
Alpha & Omega Semicondu...	AOT5N50	147Kb / 6P	500V, 5A N-Channel MOSFET

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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