UPA801T Datenblatt(PDF) - NEC

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UPA801T Datenblatt (PDF) - NEC

UPA801T Datasheet PDF - NEC


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Hersteller	NEC [NEC]

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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

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UPA801T Datenblatt (HTML) - NEC

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UPA801T Produktdetails

DESCRIPTION
The µPA801TC has built-in low-voltage two transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES
• Low noise: NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• High gain: |S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package
• Built-in 2 transistors (2 × 2SC5006)

Ähnliche Teilenummer - UPA801T

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
California Eastern Labs	UPA801T	177Kb / 8P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY
Renesas Technology Corp	UPA801T	217Kb / 8P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
California Eastern Labs	UPA801T	19Kb / 2P	NONLINEAR MODEL
Inchange Semiconductor ...	UPA801T	197Kb / 2P	isc Silicon NPN RF Transistor
Renesas Technology Corp	UPA801T-T1	217Kb / 8P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

Ähnliche Beschreibung - UPA801T

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	UPA804TC	66Kb / 16P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	UPA810TC	53Kb / 12P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	UPA814TC	84Kb / 20P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	UPA821TC	64Kb / 12P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	UPA826TC	66Kb / 12P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5010 FLAT-LEAD 6-PIN THIN -TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	UPA831TC	79Kb / 16P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
	UPA835TC	71Kb / 12P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
	UPA840TC	79Kb / 16P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
	UPA843TC	76Kb / 7P	NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	2SC5745	121Kb / 24P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

Über NEC

Die NEC Corporation ist ein japanisches Unternehmen für multinationale Informationstechnologie und Elektronik. Das Unternehmen wurde 1899 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Tokio, Japan. NEC bietet eine breite Palette von Produkten und Dienstleistungen, einschließlich Informationstechnologie, Telekommunikation und Elektronik. Das Portfolio umfasst Computerhardware, Software und Dienste, Netzwerklösungen, Display -Lösungen sowie Unternehmenserver und Speicherlösungen.

NEC ist bekannt für sein Fachwissen im Bereich der Informationstechnologie und seine Fähigkeit, innovative und qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen bereitzustellen. Das Unternehmen verfügt über Operationen und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt und ist in der asiatisch-pazifischen Region stark vertreten. NEC arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Lösungen bereitzustellen, die ihren spezifischen Anforderungen und Bedürfnissen entsprechen.

Zusätzlich zu seinem Kerngeschäft ist NEC auch in den Bereichen Forschung und Entwicklung aktiv und an verschiedenen Projekten in Bezug auf fortschrittliche Technologien wie künstliche Intelligenz, 5G -Netzwerke und das Internet der Dinge (IoT) beteiligt. NEC ist verpflichtet, nachhaltige Lösungen zu liefern, die die Entwicklung der Gesellschaft unterstützen und die Lebensqualität von Menschen auf der ganzen Welt verbessern.

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