UPA831 Datenblatt(PDF) - NEC

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UPA831 Datenblatt (PDF) - NEC

UPA831 Datasheet PDF - NEC


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Hersteller	NEC [NEC]

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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE

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Bauteilbeschribung	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE

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UPA831 Produktdetails

DESCRIPTION
The µPA831TC has built-in two different transistors (Q1 and Q2) for low noise amplification in the VHF band to UHF band.

FEATURES
• Low noise
    Q1 : NF = 1.2 dB TYP., Q2 : NF = 1.4 dB TYP.
    @f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• High gain
    Q1 : |S21e|2 = 9.0 dB TYP., Q2 : |S21e|2 = 12.0 dB TYP.
    @f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package
• 2 different built-in transistors (2SC5006, 2SC5007)

Ähnliche Teilenummer - UPA831

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
California Eastern Labs	UPA831TC	16Kb / 2P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
California Eastern Labs	UPA831TC-T1	16Kb / 2P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	UPA831TD	273Kb / 8P	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR 2004
NEC	UPA831TF	57Kb / 9P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	UPA831TF	212Kb / 14P	Silicon Transistor 1997

Ähnliche Beschreibung - UPA831

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	UPA801TC	76Kb / 12P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	UPA804TC	66Kb / 16P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	UPA810TC	53Kb / 12P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	UPA814TC	84Kb / 20P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	UPA833TF	74Kb / 16P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
	UPA835TC	71Kb / 12P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
	UPA840TC	79Kb / 16P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
	UPA843TC	76Kb / 7P	NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
	UPA880TS	54Kb / 6P	NPN SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS) IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (1007 PACKAGE)
California Eastern Labs	UPA863TD	726Kb / 27P	NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

Über NEC

Die NEC Corporation ist ein japanisches Unternehmen für multinationale Informationstechnologie und Elektronik. Das Unternehmen wurde 1899 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Tokio, Japan. NEC bietet eine breite Palette von Produkten und Dienstleistungen, einschließlich Informationstechnologie, Telekommunikation und Elektronik. Das Portfolio umfasst Computerhardware, Software und Dienste, Netzwerklösungen, Display -Lösungen sowie Unternehmenserver und Speicherlösungen.

NEC ist bekannt für sein Fachwissen im Bereich der Informationstechnologie und seine Fähigkeit, innovative und qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen bereitzustellen. Das Unternehmen verfügt über Operationen und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt und ist in der asiatisch-pazifischen Region stark vertreten. NEC arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Lösungen bereitzustellen, die ihren spezifischen Anforderungen und Bedürfnissen entsprechen.

Zusätzlich zu seinem Kerngeschäft ist NEC auch in den Bereichen Forschung und Entwicklung aktiv und an verschiedenen Projekten in Bezug auf fortschrittliche Technologien wie künstliche Intelligenz, 5G -Netzwerke und das Internet der Dinge (IoT) beteiligt. NEC ist verpflichtet, nachhaltige Lösungen zu liefern, die die Entwicklung der Gesellschaft unterstützen und die Lebensqualität von Menschen auf der ganzen Welt verbessern.

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