CDP1821CD3 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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CDP1821CD3 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

CDP1821CD3 Datasheet PDF - Intersil Corporation


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High-Reliability CMOS 1024-Word x 1-Bit Static RAM

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CDP1821CD3 Produktdetails

Description
The CDP1821C/3 is a 1024-word x 1-bit CMOS silicon-on-sapphire (SOS), fully static, random-access memory designed for use in CDP1800 microprocessor systems. This device has a recommended operating voltage range of 4V to 6.5V

Features
• Static CMOS Silicon-On-Sapphire Circuitry CD4000-Series Compatible
• Compatible with CDP1800-Series Microprocessors at Maximum Speed
• Fast Access Time. . . . . . . . . . . 100ns Typ. at VDD = 5V
• Single Voltage Supply
• No Precharge or External Clocks Required
• Low Quiescent and Operating Power
• Separate Data Inputs and Outputs
• High Noise Immunity . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30% of VDD
• Memory Retention for Standby Battery Voltage Down to 2V at +25°C
• Latch-Up-Free Transient-Radiation Tolerance

Ähnliche Teilenummer - CDP1821CD3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	CDP1822	45Kb / 8P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822	169Kb / 9P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822C	45Kb / 8P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822C	27Kb / 5P	High-Reliability CMOS 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822C	169Kb / 9P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997

Ähnliche Beschreibung - CDP1821CD3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	CDP1822C	27Kb / 5P	High-Reliability CMOS 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1823C	28Kb / 6P	High-Reliability CMOS 128-Word x 8-Bit Static RAM March 1997
	MWS5114	29Kb / 7P	1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
Hitachi Semiconductor	HM6267	327Kb / 7P	16384-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM
	HM6147H	354Kb / 7P	4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM
	HM6148HLP	265Kb / 5P	1024-word x 4-bit High Speed Static CMOS RAM
Intersil Corporation	MWS5114	113Kb / 8P	1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
Toshiba Semiconductor	TC551402J	347Kb / 6P	4,194,304 WORD x 1 BIT/1,048,576 WORD x 4 BIT CMOS STATIC RAM
	TC5561P	616Kb / 6P	65,536 WORD X 1 BIT CMOS STATIC RAM
	TC5562P	597Kb / 6P	65,536 WORD X 1 BIT CMOS STATIC RAM

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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