HA-5160 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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HA-5160 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

HA-5160 Datasheet PDF - Intersil Corporation


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100MHz, JFET Input, High Slew Rate, Uncompensated, Operational Amplifier

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HA-5160 Produktdetails

100MHz, JFET Input, High Slew Rate, Uncompensated, Operational Amplifier

The HA-5160 is a wideband, uncompensated, operational amplifier with FET/Bipolar technologies and Dielectric solation. This monolithic amplifier features superior high frequency capabilities further enhanced by precision laser trimming of the input stage to provide excellent input characteristics. This device has excellent phase margin at a closed loop gain of 10 without external compensation.

Features

• Wide Gain Bandwidth (AV ≥10) . . . . . . . . . . . . . . 100MHz

• High Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V/µs

• Settling Time . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280ns

• Power Bandwidth . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.9MHz

• Offset Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0mV

• Bias Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20pA

• Compensation Pin for Unity Gain Capability

Applications

• Video and RF Amplifiers

• Data Acquisition

• Pulse Amplifiers

• Precision Signal Generation

Ähnliche Teilenummer - HA-5160

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	HA-5160	250Kb / 8P	100MHz, JFET Input, High Slew Rate, Uncompensated, Operational Amplifier November 30, 2005
Intersil Corporation	HA-5160	321Kb / 8P	100MHz, JFET Input, High Slew Rate, Uncompensated, Operational Amplifier March 18, 2010
Renesas Technology Corp	HA-5160	522Kb / 8P	100MHz, JFET Input, High Slew Rate,Uncompensated, Operational Amplifier March 18, 2010
Intersil Corporation	HA-5160	250Kb / 8P	100MHz, JFET Input, High Slew Rate, Uncompensated, Operational Amplifier November 30, 2005

Ähnliche Beschreibung - HA-5160

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	HS-2520RH	77Kb / 7P	Radiation Hardened Uncompensated, High Slew Rate Operational Amplifier August 1999
	HA-2520883	93Kb / 6P	Uncompensated, High Slew Rate Operational Amplifier October 11, 2004
	HA-2529883	88Kb / 9P	Uncompensated, High Slew Rate High Output Current, Operational Amplifier July 1997
	HA-2520	307Kb / 11P	20MHz, High Slew Rate, Uncompensated, High Input Impedance, Operational Amplifiers November 15, 2006
	HA-5160	250Kb / 8P	100MHz, JFET Input, High Slew Rate, Uncompensated, Operational Amplifier November 30, 2005
	HS-2520RH	172Kb / 7P	Radiation Hardened Uncompensated, High Slew Rate Operational Amplifier July 2001
	HA-5160	321Kb / 8P	100MHz, JFET Input, High Slew Rate, Uncompensated, Operational Amplifier March 18, 2010
	HA-2520	310Kb / 6P	20MHz, High Slew Rate, Uncompensated, High Input Impedance, Operational Amplifiers October 11, 2004
	HA-2520	98Kb / 6P	Uncompensated, High Slew Rate Operational Amplifier October 11, 2004
Renesas Technology Corp	HA-5160	522Kb / 8P	100MHz, JFET Input, High Slew Rate,Uncompensated, Operational Amplifier March 18, 2010

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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