HFA3102 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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HFA3102 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

HFA3102 Datasheet PDF - Intersil Corporation


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HFA3102 Produktdetails

The HFA3102 is an all NPN transistor array configured as dual differential amplifiers with tail transistors. Based on Intersil bonded wafer UHF-1 SOI process, this array achieves very high fT (10GHz) while maintaining excellent hFE and VBE matching characteristics over temperature. Collector leakage currents are maintained to under 0.01nA.

Features
• High Gain-Bandwidth Product (fT) . . . . . . . . . . . . . 10GHz
• High Power Gain-Bandwidth Product. . . . . . . . . . . . 5GHz
• High Current Gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
• Noise Figure (Transistor) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB
• Low Collector Leakage Current . . . . . . . . . . . . . . <0.01nA
• Excellent hFE and VBE Matching
• Pin-to-Pin to UPA102G
• Pb-Free Plus Anneal Available (RoHS Compliant)

Applications
• Single Balanced Mixers
• Wide Band Amplification Stages
• Differential Amplifiers
• Multipliers
• Automatic Gain Control Circuits
• Frequency Doublers, Tripplers
• Oscillators
• Constant Current Sources
• Wireless Communication Systems
• Radio and Satellite Communications
• Fiber Optic Signal Processing
• High Performance Instrumentation

Ähnliche Teilenummer - HFA3102

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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Intersil Corporation	HFA3102B96	208Kb / 8P	Dual Long-Tailed Pair Transistor Array July 14, 2005
Renesas Technology Corp	HFA3102B96	391Kb / 7P	Dual Long-Tailed Pair Transistor Array
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Ähnliche Beschreibung - HFA3102

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Advanced Linear Devices	ALD1107	126Kb / 11P	QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET ARRAY
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Renesas Technology Corp	HFA3102	391Kb / 7P	Dual Long-Tailed Pair Transistor Array
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ADL Embedded Solutions	ALD1107	84Kb / 9P	QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET ARRAY 2021
Advanced Linear Devices	ALD1106	106Kb / 11P	QUAD/DUAL N-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET ARRAY 2012

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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