10N120BN Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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10N120BN Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

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35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

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10N120BN Produktdetails

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor.

Features
• 35A, 1200V, TC = 25oC
• 1200V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150oC
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Avalanche Rated
• Thermal Impedance SPICE Model
   Temperature Compensating SABER™ Model
   www.intersil.com
• Related Literature
   - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
      Components to PC Boards

Ähnliche Teilenummer - 10N120BN

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Fairchild Semiconductor	10N120BN	217Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Fairchild Semiconductor	10N120BND	110Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	10N120BND	82Kb / 7P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000

Ähnliche Beschreibung - 10N120BN

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Fairchild Semiconductor	HGTG10N120BN	217Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Fairchild Semiconductor	HGTG10N120BND	110Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	HGTD1N120BNS	71Kb / 7P	5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
	HGTD2N120CNS	89Kb / 7P	13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
	HGTG10N120BND	82Kb / 7P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG27N120BN	82Kb / 7P	72A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTG30N120CN	113Kb / 8P	75A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
	HGT1S10N120BNST	201Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
	HGTD1N120BNS9A	96Kb / 8P	5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Unisonic Technologies	UG1N120	290Kb / 3P	1200V NPT SERIES N-CHANNEL IGBT

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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