HGTG12N60C3D Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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HGTG12N60C3D Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

HGTG12N60C3D Datasheet PDF - Intersil Corporation


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24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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Bauteilbeschribung	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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HGTG12N60C3D Produktdetails

The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49123. The diode used in anti parallel with the IGBT is the development type TA49061.

Features
• 24A, 600V at TC = 25°C
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 210ns at TJ = 150°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode

Ähnliche Teilenummer - HGTG12N60C3D

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Harris Corporation	HGTG12N60C3D	102Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGTG12N60C3D	124Kb / 8P	24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
ON Semiconductor	HGTG12N60C3D	270Kb / 9P	UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode 24 A, 600 V September, 2021 - Rev. 3

Ähnliche Beschreibung - HGTG12N60C3D

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Harris Corporation	HGTG12N60C3D	102Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGTG20N60B3D	179Kb / 7P	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
	HGTG20N60C3D	123Kb / 8P	45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
	HGTP12N60C3D	154Kb / 8P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
Intersil Corporation	HGTG20N60B3D	135Kb / 6P	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG30N60B3D	109Kb / 7P	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTP12N60C3D	99Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTG12N60C3D	124Kb / 8P	24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
Fairchild Semiconductor	HGTG30N60B3D	228Kb / 8P	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Harris Corporation	HGTP3N60C3D	394Kb / 11P	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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