IRF9620 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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IRF9620 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

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3.5A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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IRF9620 Produktdetails

This P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features
• 3.5A, 200V
• rDS(ON) = 1.500Ω
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance

Ähnliche Teilenummer - IRF9620

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRF9620	160Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.5A)
Vishay Siliconix	IRF9620	1Mb / 7P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF9620	281Kb / 8P	Power MOSFET 21-Mar-11
List of Unclassifed Man...	IRF9620	2Mb / 31P	SEMICONDUCTORS
Vishay Siliconix	IRF9620	159Kb / 8P	Power MOSFET 16-Aug-2021

Ähnliche Beschreibung - IRF9620

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	IRF610	55Kb / 7P	3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET June 1999
	IRF830	56Kb / 7P	4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFD210	52Kb / 6P	0.6A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFD9220	53Kb / 6P	0.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFF210	325Kb / 7P	2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 1999
	IRFF220	325Kb / 7P	3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 1999
	IRFR9220	99Kb / 8P	3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1999
Fairchild Semiconductor	2N6790	86Kb / 7P	3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power
Fairchild Semiconductor	2N6784	90Kb / 7P	2.25A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Harris Corporation	BUZ41A	45Kb / 5P	4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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