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NX5313 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
NX5313 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

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Bauteilbeschribung 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

NX5313 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


NX5313 Produktdetails

DESCRIPTION
The NX5313 Series is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Fabry-Perot (FP) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. These devices are designed for application up to 1.25 Gb/s.

FEATURES
• Optical output power Po = 13.0 mW
• Low threshold current lth = 6 mA
• Differential Efficiency ηd = 0.5 W/A
• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• CAN package φ 5.6 mm
• Focal point 6.35 mm
• LD beam angle optimized for 8 degree angled SMF

APPLICATION
• FTTH PON (B-PON, G-PON, GE-PON 10 km) system




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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