MUR820 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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MUR820 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

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MUR820 Produktdetails

MUR820 and RURP820 are ultrafast diodes with soft recovery characteristics (trr < 25ns). They have low forward voltage drop and are silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction.

Features
• Ultrafast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . <25ns
• Operating Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .175°C
• Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .200V
• Avalanche Energy Rated
• Planar Construction

Applications
• Switching Power Supplies
• Power Switching Circuits
• General Purpose

Ähnliche Teilenummer - MUR820

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	MUR820	150Kb / 6P	ULTRAFAST RECTIFIERS 8 AMPERES 200-400-600 VOLTS
Micro Commercial Compon...	MUR820	102Kb / 2P	8 Amp S uper Fast Glass Passivated R ec tif ie r 50 to 400 Volts
ON Semiconductor	MUR820	106Kb / 8P	SWITCHMODE Power Rectifiers December, 2004 ??Rev. 5
International Rectifier	MUR820	196Kb / 8P	Ultrafast Rectifier
ON Semiconductor	MUR820	80Kb / 7P	ULTRAFAST RECTIFIERS 8.0 AMPERES, 50??00 VOLTS July, 2006 ??Rev. 7

Ähnliche Beschreibung - MUR820

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Fairchild Semiconductor	MUR1520	61Kb / 4P	15A, 200V Ultrafast Diodes
Fairchild Semiconductor	MUR8100E	138Kb / 5P	8A, 1000V Ultrafast Diodes
Intersil Corporation	BYW51-100	25Kb / 3P	8A, 100V - 200V Ultrafast Dual Diodes June 1995
	MUR1520	31Kb / 3P	15A, 200V Ultrafast Diodes January 2000
	MUR1620CT	52Kb / 5P	8A, 200V Ultrafast Dual Diodes January 2000
	MUR8100E	49Kb / 4P	8A, 1000V Ultrafast Diodes January 2000
	RURD420	46Kb / 4P	4A, 200V Ultrafast Diodes January 2000
	RURD620	50Kb / 4P	6A, 200V Ultrafast Diodes January 2000
Fairchild Semiconductor	RURD420S	100Kb / 5P	4A, 200V Ultrafast Diodes
Shenzhen Winsemi Microe...	WDP8S20	422Kb / 5P	8A,200V Ultrafast Single Diode

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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