RFD14N05LSM Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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RFD14N05LSM Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

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14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

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RFD14N05LSM Produktdetails

Features
• 14A, 50V
• rDS(ON) = 0.100Ω
• Temperature Compensating PSPICE™ Model
• Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, and
    TTL Circuits
• Peak Current vs Pulse Width Curve
• UIS Rating Curve
• 175oC Operating Temperature
• Related Literature
    - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
        Components to PC Boards”

Ähnliche Teilenummer - RFD14N05LSM

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Fairchild Semiconductor	RFD14N05LSM	119Kb / 8P	14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
	RFD14N05LSM	213Kb / 8P	14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
	RFD14N05LSM	214Kb / 8P	14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
VBsemi Electronics Co.,...	RFD14N05LSM	1,003Kb / 8P	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
Inchange Semiconductor ...	RFD14N05LSM	298Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Ähnliche Beschreibung - RFD14N05LSM

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Fairchild Semiconductor	RFD14N05	157Kb / 8P	14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
	RFD14N05L	119Kb / 8P	14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
	RFG50N05L	376Kb / 6P	50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Intersil Corporation	RFD14N06L	83Kb / 8P	14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs July 1999
	RFD16N05L	47Kb / 6P	16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs April 1999
	RFG50N05L	51Kb / 6P	50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs July 1999
Fairchild Semiconductor	RFD14N05SM	220Kb / 8P	14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Fairchild Semiconductor	RFD14N05L	213Kb / 8P	14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Austin Semiconductor	RFP50N05L	157Kb / 6P	50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Fairchild Semiconductor	RFD14N05LSM9A	214Kb / 8P	14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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