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RFD14N06LSM Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

RFD14N06LSM Datasheet PDF - Intersil Corporation
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RFD14N06LSM Datasheet (PDF)

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RFD14N06LSM Datenblatt (HTML) - Intersil Corporation


RFD14N06LSM Produktdetails

14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs



These are N-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers.



Features

• 14A, 60V

• rDS(ON)= 0.100Ω

• Temperature Compensating PSPICE® Model

• Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, and TTL Circuits

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• 175oC Operating Temperature

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    - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”




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Über Intersil Corporation


Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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