RFP2P08 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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RFP2P08 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

RFP2P08 Datasheet PDF - Intersil Corporation


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-2A, -80V and -100V, 3.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

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Bauteilbeschribung	-2A, -80V and -100V, 3.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

RFP2P08 Datenblatt (HTML) - Intersil Corporation

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RFP2P08 Produktdetails

These are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters. motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features

• -2A, -80V and -100V

• rDS(ON) = 3.500Ω

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards

Ähnliche Teilenummer - RFP2P08

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
VBsemi Electronics Co.,...	RFP2P08	966Kb / 7P	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
Inchange Semiconductor ...	RFP2P08	348Kb / 2P	isc P-Channel MOSFET Transistor

Ähnliche Beschreibung - RFP2P08

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	RFH25P08	33Kb / 4P	-25A, -100V and -80V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs September 1998
	RFL1P08	42Kb / 4P	1A, -80V and -100V, 3.65 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1998
	RFP12P08	37Kb / 5P	12A, 80V and 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs June 1999
	RFP2N08	46Kb / 4P	2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs July 1998
	RFP2N08L	35Kb / 5P	2A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs July 1999
	RFP6P08	310Kb / 5P	-6A, -80V and -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs October 1999
Harris Corporation	RFP8P08	279Kb / 5P	-8A, -80V AND -100V, 0.400 Ohm, P-CHANNEL POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	RFP2N08	93Kb / 2P	2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
	RFL1P08	90Kb / 2P	1 A, -80V and -100V, 3.65 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
	RFH25P08	91Kb / 2P	-25A, -100V and -80V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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