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RHRP8100CC Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation
RHRP8100CC Datasheet PDF - Intersil Corporation
Teilenummer RHRP8100CC
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Hersteller  INTERSIL [Intersil Corporation]
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Bauteilbeschribung 8A, 1000V Hyperfast Dual Diode

RHRP8100CC Datasheet (PDF)

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Hersteller  INTERSIL [Intersil Corporation]
Direct Link  http://www.intersil.com/cda/home
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Bauteilbeschribung 8A, 1000V Hyperfast Dual Diode

RHRP8100CC Datenblatt (HTML) - Intersil Corporation


RHRP8100CC Produktdetails

The RHRP8100CC is a hyperfast dual diode with soft recovery characteristics (trr < 55ns). It has half the recovery time of ultrafast diodes and is of silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction.
   
Features
• Hyperfast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . <55ns
• Operating Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .175°C
• Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1000V
• Avalanche Energy Rated
• Planar Construction
   
Applications
• Switching Power Supplies
• Power Switching Circuits
• General Purpose
   




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Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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