RHRU5040 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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RHRU5040 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

RHRU5040 Datasheet PDF - Intersil Corporation


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50A, 400V - 600V Hyperfast Diodes

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RHRU5040 Produktdetails

RHRU5040, RHRU5050 and RHRU5060 (TA49065) are hyperfast diodes with soft recovery characteristics (tRR < 45ns). They have half the recovery time of ultrafast diodes and are silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction.

Features
• Hyperfast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . .<45ns
• Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C
• Reverse Voltage Up To. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .600V
• Avalanche Energy Rated
• Planar Construction

Applications
• Switching Power Supplies
• Power Switching Circuits
• General Purpose

Ähnliche Teilenummer - RHRU5040

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	RHRU50100	56Kb / 4P	50A, 700V - 1000V Hyperfast Diodes April 1995
	RHRU50120	59Kb / 4P	50A, 1200V Hyperfast Diode April 1995
	RHRU5070	56Kb / 4P	50A, 700V - 1000V Hyperfast Diodes April 1995
	RHRU5080	56Kb / 4P	50A, 700V - 1000V Hyperfast Diodes April 1995
	RHRU5090	56Kb / 4P	50A, 700V - 1000V Hyperfast Diodes April 1995

Ähnliche Beschreibung - RHRU5040

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Fairchild Semiconductor	RHRD440	353Kb / 5P	4A, 400V - 600V Hyperfast Diodes
	RHRG3040	342Kb / 5P	30A, 400V - 600V Hyperfast Diodes
	RHRP1540	357Kb / 5P	15A, 400V - 600V Hyperfast Diodes
	RHRP3040	341Kb / 5P	30A, 400V - 600V Hyperfast Diodes
	RHRP840	365Kb / 5P	8A, 400V - 600V Hyperfast Diodes
Intersil Corporation	RHRG3040	46Kb / 4P	30A, 400V - 600V Hyperfast Diodes January 2000
	RHRP3040	46Kb / 4P	30A, 400V - 600V Hyperfast Diodes January 2000
	RHRP840	49Kb / 4P	8A, 400V - 600V Hyperfast Diodes January 2000
	RHRU7540	60Kb / 4P	75A, 400V - 600V Hyperfast Diodes April 1995
Fairchild Semiconductor	RHRP1560	357Kb / 5P	15A, 400V - 600V Hyperfast Diodes

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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