RHRU7590 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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RHRU7590 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

RHRU7590 Datasheet PDF - Intersil Corporation


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75A, 700V - 1000V Hyperfast Diodes

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RHRU7590 Produktdetails

RHRU7570, RHRU7580, RHRU7590 and RHRU75100 (TA49068) are hyperfast diodes with soft recovery characteristics (tRR < 85ns). They have half the recovery time of ultrafast diodes and are silicon nitride passivated ionimplanted epitaxial planar construction.

Features
• Hyperfast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . .<85ns
• Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C
• Reverse Voltage Up To. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1000V
• Avalanche Energy Rated
• Planar Construction

Applications
• Switching Power Supplies
• Power Switching Circuits
• General Purpose

Ähnliche Teilenummer - RHRU7590

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	RHRU75120	42Kb / 3P	75A, 1200V Hyperfast Diode April 1995
	RHRU7540	60Kb / 4P	75A, 400V - 600V Hyperfast Diodes April 1995
	RHRU7550	60Kb / 4P	75A, 400V - 600V Hyperfast Diodes April 1995
	RHRU7560	60Kb / 4P	75A, 400V - 600V Hyperfast Diodes April 1995

Ähnliche Beschreibung - RHRU7590

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Fairchild Semiconductor	RHRG75120	341Kb / 4P	75A, 1200V Hyperfast Diode
Intersil Corporation	RHRG75120	32Kb / 3P	75A, 1200V Hyperfast Diode January 2000
	RHRG7560	46Kb / 4P	75A, 600V Hyperfast Diode January 2000
	RHRG7570	61Kb / 4P	75A, 700V - 1000V Hyperfast Diodes April 1995
	RHRU15090	39Kb / 3P	150A, 900V - 1000V Hyperfast Diodes April 1995
	RHRU5070	56Kb / 4P	50A, 700V - 1000V Hyperfast Diodes April 1995
	RHRU75120	42Kb / 3P	75A, 1200V Hyperfast Diode April 1995
	RHRU7540	60Kb / 4P	75A, 400V - 600V Hyperfast Diodes April 1995
	RURG3070CC	31Kb / 3P	30A, 700V - 1000V Ultrafast Dual Diodes April 1995
	RURU15070	48Kb / 4P	150A, 700V - 1000V Ultrafast Diodes April 1995

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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