IRF140 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRF140 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

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IRF140 Produktdetails

The HEXFETtechnology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability.

Features:
■ Repetitive Avalanche Ratings
■ Dynamic dv/dt Rating
■ Hermetically Sealed
■ Simple Drive Requirements
■ Ease of Paralleling

Ähnliche Teilenummer - IRF140

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Samsung semiconductor	IRF140	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Seme LAB	IRF140	22Kb / 2P	N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor	IRF140	146Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
Intersil Corporation	IRF140	55Kb / 7P	28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF140	103Kb / 3P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V

Ähnliche Beschreibung - IRF140

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF130	147Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)
	IRF150	150Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A)
	IRF5M3710	114Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.03ohm, Id=35A)
	IRF5NJ540	115Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.052ohm, Id=22A*)
	IRF9130	149Kb / 7P	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)
	IRF9140	148Kb / 7P	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-18A)
	IRFN140	218Kb / 6P	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRFY140CM	291Kb / 6P	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=16*A)
	IRC540PBF	1Mb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.077廓 , ID=28A )

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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