IRF450 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRF450 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

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IRF450 Produktdetails

The HEXFET technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability.

Features:
■ Repetitive Avalanche Ratings
■ Dynamic dv/dt Rating
■ Hermetically Sealed
■ Simple Drive Requirements
■ Ease of Paralleling

Ähnliche Teilenummer - IRF450

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Samsung semiconductor	IRF450	214Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Seme LAB	IRF450	19Kb / 2P	N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor	IRF450	56Kb / 7P	13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Intersil Corporation	IRF450	56Kb / 7P	13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 1999
Seme LAB	IRF450	196Kb / 3P	N-CHANNEL POWER MOSFET

Ähnliche Beschreibung - IRF450

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRF330	146Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)
	IRF350	144Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A)
	IRF430	146Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)
	IRF440	142Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
	IRF460	140Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=21)
	IRFI460	211Kb / 8P	TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=21A)
	IRFN450	218Kb / 6P	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.415ohm, Id=12A)
	IRHM7450SE	122Kb / 4P	TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=12A)
	IRHN7450SE	111Kb / 4P	TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=12A)
	JANTX2N6770	230Kb / 6P	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500v, Rds(on)=0.40ohm, Id=12A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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