IRF530S Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRF530S Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRF530S Datasheet PDF - International Rectifier


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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)

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IRF530S Produktdetails

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l P-Channel

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

Ähnliche Teilenummer - IRF530S

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRF530S	171Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRF530S	177Kb / 9P	Power MOSFET 30-May-11
Kersemi Electronic Co.,...	IRF530S	916Kb / 8P	Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VBsemi Electronics Co.,...	IRF530S	1,008Kb / 8P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	IRF530S	218Kb / 9P	Power MOSFET 07-Sep-2020

Ähnliche Beschreibung - IRF530S

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRC503	226Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
	IRF530	175Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
	IRF644	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)
	IRF9530N	113Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
	IRF9530NS	173Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
	IRFIZ24E	114Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.071ohm, Id=14A)
	IRFIZ24N	105Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=14A)
	IRFIZ24V	83Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.060ohm, Id=14A)
	IRFL014N	144Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.16ohm, Id=1.9A)
	IRFP450LC	340Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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