IRF540N Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRF540N Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRF540N Datasheet PDF - International Rectifier


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IRF540N Produktdetails

Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

Ähnliche Teilenummer - IRF540N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	IRF540N	126Kb / 10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540N	734Kb / 8P	Advanced Process Technology
List of Unclassifed Man...	IRF540N	2Mb / 31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF540N	138Kb / 10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, Power MOSFET
Multicomp Pro	IRF540N	1Mb / 5P	N Channel MOSFET 05/08/24 V1.0

Ähnliche Beschreibung - IRF540N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRF540NS	125Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRFB33N15D	139Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
	IRFIZ46N	104Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=33A)
	IRFP140N	158Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A)
	IRFR1111	112Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A??
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

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