IRF630 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRF630 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)

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IRF630 Produktdetails

Description
Third Generation HEXFETs MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements

Ähnliche Teilenummer - IRF630

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	IRF630	97Kb / 9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF630	104Kb / 9P	N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET Feb-1999
Fairchild Semiconductor	IRF630	177Kb / 6P	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Intersil Corporation	IRF630	62Kb / 7P	9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs June 1999
STMicroelectronics	IRF630	190Kb / 6P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

Ähnliche Beschreibung - IRF630

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRC	229Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
	IRFI630G	176Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=5.9A)
	IRFP450LC	340Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)
	IRFPC60	162Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
	IRHN7230	513Kb / 14P	TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
	IRL630	324Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, RdS(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
	IRL630S	352Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
	IRLI630G	337Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A)
	IRF630PBF	2Mb / 8P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A )
	IRF630SPBF	986Kb / 8P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A )

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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