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IRF644S Datenblatt (PDF) - International Rectifier
IRF644S Datasheet PDF - International Rectifier
Teilenummer IRF644S
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Hersteller  IRF [International Rectifier]
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Logo IRF - International Rectifier
Bauteilbeschribung Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)

IRF644S Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)

IRF644S Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IRF644S Produktdetails

Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast swtiching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectivieness.

● Surface Mount
● Available in Tape & Reel
● Dynamic dv/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● Fast Switching
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements




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Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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