IRF7521D1 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRF7521D1 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

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IRF7521D1 Produktdetails

Description
The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifiers low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications like cell phone, PDA, etc.
The new Micro8TM package, with half the footprint area of the standard SO-8, provides the smallest footprint available in an SOIC outline. This makes the Micro8TM an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (<1.1mm) of the Micro8TM will allow it to fit easily into extremely thin application environments such as portable electronics and PCMCIA cards.

● Co-packaged HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode
● N-Channel HEXFET
● Low VF Schottky Rectifier
● Generation 5 Technology
● Micro8TM Footprint

Ähnliche Teilenummer - IRF7521D1

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Kersemi Electronic Co.,...	IRF7521D1	727Kb / 8P	Power MOSFET and Schottky Diode
International Rectifier	IRF7521D1PBF	199Kb / 8P	Co-packaged HEXFET짰 Power MOSFET and Schottky Diode

Ähnliche Beschreibung - IRF7521D1

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRF7524D1	151Kb / 8P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7534D1	106Kb / 8P	FETKY MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.055ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7523D1	204Kb / 8P	FETKY??MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7526D1	120Kb / 8P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7322D1	174Kb / 8P	MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V )
	IRF7501	143Kb / 7P	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
	IRF5850	126Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.135ohm)
	IRF5803D2	127Kb / 11P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-40V, Rds(on)=112ohm)
	IRF7353D2PBF	122Kb / 8P	MOSFET / Schottky Diode (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.029廓 , Schottky VF = 0.52V)
	IRF7503	114Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

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