IRF820 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRF820 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRF820 Datasheet PDF - International Rectifier


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IRF820 Produktdetails

DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements

Ähnliche Teilenummer - IRF820

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	IRF820	140Kb / 2P	N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
STMicroelectronics	IRF820	92Kb / 8P	N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
Samsung semiconductor	IRF820	322Kb / 6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Fairchild Semiconductor	IRF820	157Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
Intersil Corporation	IRF820	54Kb / 7P	2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999

Ähnliche Beschreibung - IRF820

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IFRI820G	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
	IRF820A	100Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
	IRF820AS	133Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
	IRF820S	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
	IRF9610S	163Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)
	IRFBE30	167Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
	IRFD420	468Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=0.37A)
	IRFD9210	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-0.40A)
	IRFR420	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A)
	IRFRU9214	107Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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