IRFI840G Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRFI840G Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRFI840G Datasheet PDF - International Rectifier


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IRFI840G Produktdetails

IRF1840G -> Correct Partumber IRFI840G

1. Isolated Package

2. High Voltage Isolation = 2.5VKRMS

3. Sink to Lead Creepage Dist = 4.8 mm

4. Low Thermal Resistance

Ähnliche Teilenummer - IRFI840G

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Vishay Siliconix	IRFI840G	1Mb / 10P	Power MOSFET 11-Oct-2021
Inchange Semiconductor ...	IRFI840G	335Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFI840GLC	225Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=4.5A)

Ähnliche Beschreibung - IRFI840G

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	IRF840S	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
	IRFI840GLC	225Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=4.5A)
	IRFP440	164Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.8A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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