IRFIBC20G Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRFIBC20G Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRFIBC20G Datasheet PDF - International Rectifier


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Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)

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IRFIBC20G Produktdetails

DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Isolated Package
• High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS
• Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm
• Dynamic dV/dt Rating
• Low Thermal Resistance

Ähnliche Teilenummer - IRFIBC20G

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	IRFIBC20G	1Mb / 8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Kersemi Electronic Co.,...	IRFIBC20G	3Mb / 7P	Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFIBC20G	319Kb / 2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFIBC20GPBF	920Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFIBC20GPBF	1Mb / 8P	Power MOSFET 16-Jun-08

Ähnliche Beschreibung - IRFIBC20G

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRFBC20	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
	IRFBC20S	355Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
	IRFBF20	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)
	IRFBF20S	311Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)
	IRFD014	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.7A)
	IRFDC20	464Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A)
	IRFPC48	214Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.82ohm, Id=8.9A)
	IRFR310	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=1.7A)
	IRFRC20	169Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A)
	IRFR310PBF	1Mb / 10P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=3.6廓 , ID=1.7A )

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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