IRFL214 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRFL214 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRFL214 Datasheet PDF - International Rectifier


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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.79A)

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IRFL214 Produktdetails

DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

• Surface Mount
• Available in Tape & Reel
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements

Ähnliche Teilenummer - IRFL214

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	IRFL214	877Kb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08
Vishay Siliconix	IRFL214	278Kb / 8P	Power MOSFET 05-Apr-2021
International Rectifier	IRFL214PBF	225Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFL214PBF	877Kb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08
Vishay Siliconix	IRFL214TR	877Kb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08

Ähnliche Beschreibung - IRFL214

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRF634	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.45ohm, Id=8.1A)
	IRF644	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)
	IRFD214	497Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.45A)
	IRFI614G	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.1A)
	IRFI624G	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.4A)
	IRFP264N	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A)
	IRFPE40	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.4A)
	IRFPG50	211Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)
	IRFR214	169Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A)
	IRFR224	175Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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